نظرات (۱)ظاهراً سامسونگ موفق شده اولین حافظه V-NAND با 900 لایه را توسعه دهد. این دستاورد که میتواند رقابت در بازار حافظههای NAND را وارد مرحله تازهای کند. افزایش شدید تقاضا برای حافظههای پرسرعت در حوزه هوش مصنوعی نیز باعث شده سازندگان بزرگ تراشه با سرعت بیشتری روی نسلهای جدید NAND کار کنند.
به نظر میآید سامسونگ برای ساخت این تراشه از فناوری Cell Multi-Bonding یا CMB استفاده کرده است. در این روش، دو ویفر 450 لایهای روی یکدیگر قرار میگیرند تا در نهایت یک تراشه 900 لایهای شکل بگیرد.
افزایش تعداد لایهها در حافظههای V-NAND معمولاً به معنی چگالی ذخیرهسازی بیشتر، مصرف انرژی کمتر و بهبود بهرهوری در پردازشهای سنگین هوش مصنوعی است. حافظههای V-NAND درواقع نوعی حافظه فلش سهبعدی هستند که سلولهای ذخیرهسازی در آنها بهصورت عمودی روی هم قرار میگیرند. این ساختار در مقایسه با NAND سنتی، ظرفیت بالاتر و راندمان بهتری دارد.
بر اساس گزارش techpowerup شرکت SK hynix یکی از پیشتازان بازار NAND با لایههای بالا محسوب میشود و تراشههای 321 لایهای تولید میکند. بااینحال سامسونگ علاوهبر آمادهسازی نسل دهم تراشههای 400 لایهای برای تولید انبوه، توسعه فناوری 900 لایهای را نیز پیش میبرد.
سامسونگ نخستین بار در سال 2013 حافظههای 3D V-NAND را بهصورت تجاری روانه بازار کرد و از آن زمان یکی از بازیگران اصلی این صنعت باقی مانده است. البته افزایش تعداد لایهها چالشهای فنی جدیدی از جمله تاب برداشتن ویفرها و ناهماهنگی در تراز لایهها بههمراه دارد.
گزارشها نشان میدهند سامسونگ برای حل این مشکلات از فناوریهایی مانند Upper Chuck و Overlay Correction استفاده کرده تا دقت همترازی لایهها افزایش پیدا کند و خطاهای تولید کاهش یابد. همچنین این شرکت طراحی بخشهای Bitline و Wordline را نیز بهینه کرده که نتیجه آن کاهش مصرف انرژی و کوچکتر شدن ابعاد تراشه عنوان شده است.
در سوی دیگر، شرکت چینی YMTC نیز با سرعت درحال نزدیک شدن به رقبای کرهای است. این شرکت تولید انبوه تراشههای 294 لایهای NAND را آغاز کرده و با حمایت گسترده دولت چین، سرمایهگذاری سنگینی روی بومیسازی تجهیزات تولید تراشه انجام داده است.
افزایش فشار رقابتی از سوی YMTC و SK hynix ظاهراً باعث شده سامسونگ روند توسعه حافظههای 900 لایهای را سریعتر دنبال کند تا جایگاه خود را در بازار جهانی حافظه حفظ کند.
