نظرات (۰)به نظر میآید سامسونگ به دنبال ساخت حافظههای فلش با ظرفیت 1000 ترابایت است. در همین رابطه اعلام شده که این شرکت کرهای قصد دارد تراشههای حافظه 1000 لایه NAND با استفاده از مواد جدید Ferroelectrics بسازد. در ادامه این نوشتار از شهر سخت افزار درباره حافظههای سامسونگ بیشتر بخوانید.
به نظر میرسد بازارهای تراشههای فلش NAND به سرعت توانسته بر مشکلات ناشی از کاهش فروش در سه ماهه گذشته غلبه کند که به دلیل کم شدن تقاضای مصرف کننده و سطح بالای موجودی اتفاق افتاده بود.
در مقابل فاز جدیدی از نوآوری در بازار تراشههای فلش NAND آغاز شده است و سامسونگ به عنوان یکی از بزرگان بازار سرگرم توسعه نسل جدید حافظه V-NAND است. تا همین چند ماه پیش ساختن حافظه اس اس دی با ظرفیت پتابایت دور از انتظار بود اما ظاهراً فناوری Ferroelectrics آمده که همه چیز را تغییر دهد.
حافظههای 1000 ترابایتی سامسونگ در راه است!
رقابت بر سر افزایش ظرفیت تراشههای حافظه NAND رو به افزایش بوده و در این مسیر سامسونگ بسیار جلوتر از رقبایی مانند SK Hynix و Kioxia قرار دارد. سامسونگ به تازگی نسل نهم تراشههای فلش V-NAND با 290 لایه را معرفی کرده و از برنامه خود برای عرضه نسل دهم تراشههای 430 لایه V-NAND در سال آینده خبر داده است.
اکنون به نظر میرسد که این شرکت به فناوری جدیدی برای ساخت تراشههای 1000 لایه دست پیدا کرده است. بنابراین میتوان انتظار داشت که در ماههای آینده شاهد عرضه درایوهای SSD با ظرفیت بیش از 1000 ترابایت به بازار باشیم.
بر اساس گزارش wccftech انتظار میرود مهندسان کرهای در آیندهای نزدیک و در جریان کنفرانس VLSI جزئیات بیشتری درباره استفاده از مواد Ferroelectrics و فناوری جدید در ساخت تراشههای V-NAND با لایههای بیشتر اطلاعاتی را منتشر کنند.
لازم به ذکر است که تقاضا برای تراشههای فلش NAND در چند ماه گذشته افزایش یافته است و عمده این تقاضا برای صنعت هوش مصنوعی بوده زیرا زیرساختهای این صنعت به حافظه ذخیره سازی با سرعت بالا نیاز دارند.
