نظرات (۰)سامسونگ به تازگی اعلام کرده که تولید انبوه تراشههای 236 لایه V-NAND خود را به عنوان نسل هشتم حافظه V-NAND آغاز کرده است. سرعت انتقال این حافظههای جدید به ۲۴۰۰ MTps رسیده و امکان ساخت SSD با سرعت انتقال ۱۲.۴ گیگابایت بر ثانیه را فراهم میکنند.
سامسونگ بار دیگر قدرت خود در تولید وسایل ذخیره سازی را به رخ کشید و اعلام کرد که تولید انبوه نسل هشتم SSD های مجهز به فناوری V-NAND خود را آغاز کرده است.
نسل هشتم حافظه V-NAND سامسونگ به ظرفیت یک ترابایتی مجهز شده که سامسونگ آن را بالاترین گنجایش در میان نمونههای رقیب مینامد، بدون آنکه اندازه یا چگالی آن را فاش کند.
همانطور که گفته شد این حافظه دارای نرخ انتقال داده 2400 MTps است که برای بهترین انواع SSD ها با رابط PCIe 5.0، سرعت 12.4 گیگابایت بر ثانیه را ارائه میدهد.
در عین حال، سامسونگ هنوز در مورد معماری تراشه ذخیرهسازی خود اطلاعاتی را منتشر نکرده، اما تصویر ارائه شده حاکی از یک حافظه NAND سه بعدی دو صفحه است.
به ادعای سامسونگ، با فرض ثابت بودن ظرفیت، نسل جدید حافظههای 3D NAND این شرکت در مقایسه با حافظههای امروزی تا ۲۰ درصد بهرهوری بیشتر دارد. این یعنی تولید حافظههای جدید برای سامسونگ ارزانتر تمام میشود و در نهایت ممکن است قیمت SSD پایین بیاید.
در همین رابطه بخوانید:
- غول تکنولوژی دنیای SSD ها نسل جدید تراشههای 136 لایه V-NAND را معرفی کرد
- اس اس دی جدید Samsung 980 Pro حتی از پلی استیشن 5 هم سریعتر است
سامسونگ هنوز از هیچ نمونهای مبتنی بر نسل هشتم حافظه V-NAND خود رونمایی نکرده است، با این حال به نظر میرسد که اولین نمونهها در سرورهای پیشرفته استفاده خواهند شد.
