نظرات (۱)

به نظر می‌آید سامسونگ سریع‌ترین حافظه HBM4 دنیا را آماده کرده تا دو ماه دیگر معرفی و روانه بازار کند. این حافظه تا 40 درصد سریع‌تر از نسل فعلی بوده و پهنای باند آن به 3.3 ترابایت بر ثانیه می‌رسد. جزئیات بیشتر را در شهر سخت افزار بخوانید.

سامسونگ که ماه گذشته نخستین تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا نسل ششم (HBM4) را معرفی کرده بود، اکنون نسخه‌ای قدرتمندتر از HBM4 را آماده کرده است. تراشه‌ای که نزدیک به 40 درصد سریع‌تر بوده و قرار است اوایل سال آینده میلادی در آمریکا رونمایی شود.

گفته می‌شود نسخه جدید HBM4 نه‌تنها سریع‌تر است، بلکه پهنای باند بسیار بالاتری نیز دارد. این تراشه توانایی دستیابی به سرعت 3.3 ترابایت بر ثانیه را دارد. این در حالی است که نسخه اولیه تنها به 2.4 ترابایت بر ثانیه محدود بود.

رقابت جذاب میان سامسونگ و SK Hynix در زمینه حافظه HBM4

رونمایی رسمی این محصول در کنفرانس ISSCC طی فوریه 2026 (بهمن 1404) انجام خواهد شد. سامسونگ در تولید این نسل از حافظه‌ها از DRAM نسل 1c استفاده کرده که نسبت به نسل 1b استفاده شده توسط رقبا پیشرفته‌تر محسوب می‌شود.

این ارتقا در کنار بازطراحی کامل ساختار داخلی و رابط تراشه تا حد زیادی مشکلات تولید حرارت نسل‌های قبلی را برطرف کرده است. نسخه اولیه HBM4 در نمایشگاه SEDEX 2025 معرفی شد، اما سامسونگ از همان زمان روی مدل سریع‌تری کار می‌کرد.

مقایسه دو نسل این تراشه‌ها نشان می‌دهد پهنای باند از 2.4 ترابایت بر ثانیه در نسخه اولیه به 3.3 ترابایت در مدل جدید رسیده که افزایش 37.5 درصدی را رقم می‌زند. این جهش نتیجه بازطراحی ساختار داخلی و استفاده از یک رابط جدید است که علاوه بر قدرت پردازش بالاتر، بهره‌وری انرژی بیشتری دارد.

رقابت جذاب میان سامسونگ و SK Hynix در زمینه حافظه HBM4

ظاهراً هر دو شرکت سامسونگ و SK Hynix در سال آینده تراشه‌های جدید HBM را معرفی خواهند کرد. این رقابت در بازاری شکل می‌گیرد که نقش حافظه‌های پهن‌باند در آن بسیار حیاتی است، زیرا زیرساخت‌های مربوط به هوش مصنوعی، دیتاسنترها و شتاب‌دهنده‌های محاسباتی شدیداً به این حافظه‌ها متکی هستند.

بر اساس تحلیل sammobile سامسونگ که پیش‌تر به دلیل چالش‌های گرمایی در حافظه‌های HBM از رقبا عقب مانده بود، حالا با بهره‌گیری از DRAM نسل 1c و اصلاحات گسترده در طراحی به دنبال کسب برتری فنی در این بازار است.

در حالی که Micron و SK Hynix همچنان از DRAM نسل 1b استفاده می‌کنند، استفاده سامسونگ از فناوری پیشرفته‌تر می‌تواند برتری محسوسی برای این برند ایجاد کرده و جایگاه این شرکت را در بازار HBM دوباره تقویت کند.

نظر خود را بنویسید...
شما مهمان هستید ( ثبت نام؟ )
ارسال نظر بدون عضویت در سایت
در حال بارگذاری نظرات... به‌روزرسانی نظرات پس از 00:00.
  • این نظر هنوز منتشر نشده است.
    · حدود 9 ماه قبل
    قضیه گرانی رم یک بازی مهندسی بازار است. حافظه های hbm فرایند ساخت پیچیده تری دارند و فقط وجود مشتری بیشتر تولید آن را اقتصادی می کند. انواع حافظه خط تولید متفاوتی دارند. پس کمبود موجود در بازار به خاطر تعطیل کردن خطوط قدیمی است. اگر دقت کنید مدل های بالا مشکلی ندارند فقط کمبود در مدل های پایین است. می خواهند کاری کنند که بازار به سمت نسل های جدید شیفت بشود.