نظرات (۰)دانشمندان کرهای به یک موفقیت بزرگ در ساخت تراشههای کوچکتر از یک نانومتر دست پیدا کردهاند. محققان مؤسسه علوم پایه کره جنوبی به فناوری جدیدی در ساخت دستگاههای الکترونیکی بسیار کوچکتر دست پیدا کرده و موفق شدند ترانزیستوری با اجزای 0.4 نانومتر بسازند. جزئیات بیشتر را در شهر سخت افزار بخوانید.
دانشمندان کرهای فرآیند جدیدی را برای ایجاد ترانزیستورهای زیرنانومتری یا همان Sub-nanometer Transistor ابداع کردهاند که محدودیتهای لیتوگرافی نانومتری را مهار میکند.
براساس گزارش TechSpot دانشمندان کرهای به فناوری جدید دست یافتهاند که با استفاده از آن میتوان از نانومواد فلزی یکبعدی با عرض 0.4 نانومتر به عنوان گیت الکترود Gate Electrode استفاده کرد. استفاده از این تکنیک جدید محدودیتهای لیتوگرافی نانومتری را از بین میبرد.
ساخت ترانزیستورهایی با اجزای 0.4 نانومتری!
این فناوری موجب شده تا بتوان از نیمهرساناهای دوبعدی حتی به ضخامت یک اتم نیز استفاده کرد و اجزای الکترونیکی بسیار نازک و با کارایی بالا مانند ترانزیستورها را در ابعاد کوچکتر از نانو ایجاد کرد.
البته توسعه این فناوری برای ساخت مدارهای مجتمع در حد و اندازه یک تراشه با محدودیتها و موانع بزرگی مواجه است. اولین چالش این است که ادغام مواد دوبعدی با هم بدون آسیبرساندن به ساختار ظریف آنها بسیار دشوار بوده و رسیدن به مقیاسهای بالا با کیفیت بالا نیز با موانعی روبروست.
مشکل دیگر عدم وجود فناوریها کافی برای ساخت چنین تراشههایی در چنین مقیاسهای کوچک است در واقع کاهش طول ترانزیستور به زیر چند نانومتر به دلیل محدودیتهای لیتوگرافی تقریباً غیرممکن است.
اکنون محققان برای غلبه بر این چالشها از یک ساختار موسوم به مرز دوگانه آینهای یا همان MTB متشکل از مولیبدن دیسولفید Molybdenum disulfide به عنوان یک گیت استفاده کردهاند که یک نیمهرسانای دوبعدی با عرض تنها 0.4 نانومتر است و میتواند بر محدودیتهای فرایند لیتوگرافی قدیمی غلبه کردند.
به صورت خلاصه میتوان گفت که دانشمندان اکنون قادرند با کنترل ساختار کریستالی در سطح اتمی، نیمهرسانای دوبعدی موجود را به یک یکبعدی تبدیل کنند. این ساختارهای فلزی یکبعدی میتوانند به عنوان گیت الکترود در ترانزیستورهای بسیار کوچک قرار گیرند.
