نظرات (۱)توسعه دهندگان نرمافزاری همواره محصولات خود را با در نظر گرفتن بهترین فناوریهای سختافزاری تولید میکنند و به نظر میرسد به بهتر و سنگینتر شدن خود ادامه خواهند داد. از این رو پردازندهها نیز باید کوچک و کوچکتر شوند تا پیشرفت ادامه پیدا کند. حال سامسونگ و IBM به یک فناوری جدید در این زمینه دست پیدا کردهاند.
این دو غول سختافزاری در روز اول کنفرانس IEDM که در سانفرانسیسکو در حال انجام است، از معماری جدید در جهت قرار دادن ترانزیستورها به صورت عمودی روی هم پرده برداشتند. در نسل فعلی تراشهها و پردازندهها، ترانزیستورها در کنار هم قرار میگیرند تا جریان از یکی به دیگری انتقال پیدا کرده و اطلاعات پردازش شوند.
بر خلاف بالا، ترانزیستورهای اثر میدان جدید سامسونگ و IBM که به صورت اختصاری «VTFET» نامیده میشوند، به شکل عمودی روی هم قرار میگیرند تا جریان نیز به همین طریق از یکی به دیگر انتقال یابد. بر اساس اعلام این دو کمپانی، طراحی فوق نسبت به طراحی سنتی ترانزیستور در تراشهها، از دو جهت مزیت ایجاد مینماید؛ در درجه اول، صنایع نیمههادی خواهند توانست محدودیت ساخت تراشههایی با فناوری ساخت بسیار کوچک از میان برداشته و به قلمرو زیر 1 نانومتر وارد شوند.
مهمتر از این، ترانزیستورهای VTFET به علت آسان کردن عبور جریان، در امر بهینهسازی انرژی عملکرد خوبی از خود به نمایش خواهند گذاشت. پیشبینی میشود که طراحی جدید ترانزیستورها بتواند سرعتی تا دو برابر بیشتر برای پردازندهها به ارمغان بیاورد و در عین حال، مصرف انرژی را تا 85 درصد کاهش دهد.
سامسونگ و IBM با اتکا به این پیشبینی، امید دارند که گوشیهای هوشمند آینده قادر باشند تا یک هفته بدون نیاز به شارژ مجدد کار کنند. آنها همچنین میگویند که دیگر کارهای نیازمند مصرف مقادیر زیادی از انرژی همچون استخراج رمزارز، بهینهتر خواهند شد و تاثیر کمتری روی محیط زیست خواهند گذاشت.
IBM و سامسونگ تنها شرکتهایی نیستند که برای رسیدن به فناوری ساخت تراشه زیر 1 نانومتری تلاش میکنند؛ شرکت اینتل نیز در تابستان سال جاری اعلام کرد که چیپهای در مقیاس انگستروم خود را تا سال 2024 میلادی به بازار خواهد فرستاد.
