نظرات (۱)اگر به یاد داشته باشید، روزگاری اینتل رقیب خود را به خاطر استفاده از بیش از یک قطعه سیلیکونی (Die) در پردازندههای Ryzen Threadripper و EPYC مورد تمسخر قرار داده بود. حالا تصاویری از پردازندههای غول پیکر Sapphire Rapids Xeon اینتل منتشر شده است که بهکارگیری دو قطعه سیلیکونی در کنار همدیگر را نشان میدهد.
امروز برای اولین بار تصاویری از پردازندههای نسل بعدی Sapphire Rapids Xeon اینتل منتشر شد که نشان میدهد همانند پردازندههای Cascade Lake-SP از دو قطعه سیلیکونی تشکیل شدهاند. Cascade Lake-SP با بهره گیری از دو قطعه سیلیکونی در کنار هم، 56 هسته پردازشی فیزیکی با توانایی اجرای هم زمان صد و دوازده Thread داشت.
پردازندههای Sapphire Rapids اینتل با بهره گیری از فناوری ساخت 10 نانومتری SuperFin تولید میشوند. این پردازندهها به مادربردهای مجهز به سوکت LGA4677 نیاز دارند که 4677 پین دارد.
انتظار میرود پردازندههای 10 نانومتری جدید Sapphire Rapids Xeon اینتل به همراه پلتفرم آن با سوکت جدید LGA4677 در سال 2021 میلادی معرفی شوند.
تصاویر منتشر شده به خوبی نشان میدهد این پردازندهها از دو قطعه سیلیکونی تشکیل شدهاند. این طراحی که به عنوان ماژول متشکل از چندین تراشه (MCM) شناخته میشود، در پردازندههای AMD هم یافت میشود. با این حال اینتل از مسیر ارتباطی ویژهای به نام EMIB برای برقراری ارتباط میان دو قطعه سیلیکونی پردازنده استفاده کرده است.
از دیگر ویژگیهای مورد انتظار پلتفرم Sapphire Rapids اینتل میتوان پشتیبانی از تراشههای حافظه DDR5، برخورداری از فناوری Data Streaming Accelerator (DSA)، پشتیبانی از فناوری جدید PCIe 5.0 با نرخ تبادل 32 گیگا ترانسفر در ثانیه و پشتیبانی از فناوری CXL 1.1 برای نسل بعدی شتاب دهندهها را برشمرد.
CXL که برای اولین بار در سال 2019 معرفی شد، یک پروتکل بر پایه استاندارد PCIe 5.0 برای ارتباط پردازنده با شتاب دهندهها است.
در این مقطع تعداد هستههای پردازشی پردازندههای Sapphire Rapids Xeon روشن نیست اما دست کم می دانیم این نمونه دارای فرکانس نسبتاً متوسط 2.0 گیگاهرتز است.
