انتشار نقشه راه دست‌یابی سامسونگ به فرایند تولید ۴ نانومتری؛ تکنولوژی‌های منحصر به فرد تولید تراشه از راه می‌رسند

شرکت سامسونگ نقشه راه جدیدی را برای رسیدن به فرایند تولید ۴ نانومتری تراشه‌ها ترسیم کرده است. در این چشم‌انداز، سامسونگ گام‌های مشخصی را طی خواهد کرد تا به تدریج و با بهبود تکنولوژی‌های طراحی و تولید، به هدف نهایی خود برسد. نکته قابل توجه اینکه در مسیر یادشده، سامسونگ از تکنولوژی‌های منحصر به فردی استفاده خواهد کرد.

همان‌طور که می‌دانید در حال حاضر برترین چیپ‌ست‌های موجود در بازار، با استفاده از فرایند ۱۰ نانومتری به مرحله تولید می‌رسند. در این بازار، سامسونگ یکی از پیشتازان به‌کارگیری این فرایند تولید به حساب می‌آید. هرچه که فرایند تولید، کوچک‌تر باشد، محصول نهایی نیز عملکرد بالاتر و بهینه‌سازی بیشتر مصرف توان را پیش روی کاربران قرار خواهد داد. علاوه بر این، تعداد ترانزیستور بیشتری را هم می‌توان در تراشه ادغام کرد. این روند، با قانون مور که توسط Gordon Moore موسس شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ میلادی به ثبت رسیده است هم‌خوانی کاملی دارد. بر اساس این قانون، تعداد ترانزیستورها در هر اینچ مربع مدارهای مجتمع، هر دو سال، دو برابر می‌شود.

شرکت سامسونگ در تلاش برای دست‌یابی به فرایندهای مدرن‌تر تولید تراشه، نقشه راهی که در قالب آن مسیر مهاجرت متخصصان این شرکت از فرایند ۱۰ نانومتری به فرایند تولید ۴ نانومتری مشخص شده را منتشر کرده است. بر این اساس، گام بعدی سامسونگ، تولید تراشه‌های ۸ نانومتری با استفاده از فرایند Low Power Plus خواهد بود. فرایند تولید ۷ نانومتری این شرکت نیز برای اولین بار از لیتوگرافی منحصر به فرد Extreme Ultra Violet بهره‌مند خواهد شد. زمانی که سامسونگ فرایند ۶ نانومتری Low Power Plus را به مرحله اجرا درآورد از راهکار جدیدی به نام Smart Scaling استفاده خواهد شد. این راهکار، دسترسی به مزایای منحصر‌به فرد در زمینه کاهش چشمگیر مصرف توان را ممکن خواهد ساخت.

پس از این، سامسونگ فرایند ۵ نانومتری Low Power Plus را به مرحله اجرا درخواهد آورد و در نهایت امر، به هدف خود خواهد رسید. فرایند ۴ نانومتری Low Power Plus سامسونگ، راهکاری است که برای اولین‌بار از نسل جدید معماری تراشه‌ها به نام Multi Bridge Channel FET استفاده می‌کند. این معماری، راه‌ حل ویژه سامسونگ به‌منظور غلبه بر محدودیت‌های ابعاد و عملکرد در معماری FinFET خواهد بود.

مهاجرت سامسونگ از فرایند تولید ۱۰ نانومتری به سمت فرایند ۴ نانومتری به زمان زیادی نیاز خواهد داشت و مطمئنا موانع زیادی هم در این مسیر، بر سر راه سامسونگ قرار خواهد گرفت. با وجود این، از آنجایی که سامسونگ گام‌های مشخصی را برای رسیدن به هدف نهایی یعنی تولید تراشه‌های ۴ نانومتری ترسیم کرده است، کاربران این امکان را خواهند داشت تا با تکمیل هر مرحله، از مزایای بهبود عملکرد و کاهش مصرف انرژی در محصولات تولیدشده بهره‌مند شوند.