نظرات (۱)این روز ها جنگ در حوزه ابعاد چند نانومتری بین شرکت های تولید کننده تراشه منحصر به سامسونگ و TSMC شده است. در حالی که سامسونگ چند روز پیش خبر از آغاز مراحل تولید تراشه به صورت صنعتی با لیتوگرافی 10 نانومتری داد، امروز دیگر کمپانی رقیب اعلام کرد که مراحل تست یک مرحله جلوتر یعنی لیتوگرافی 7 نانومتری را آغاز نموده است.
همانطور که به صورت طبیعی رساندن مراحل آزمایشی به تولید صنعتی کمی طول میکشد، TSMC اعلام نموده که طبق برنامه، این شرکت سعی دارد تا سال 208 مراحل نهایی و تولید صنعتی تراشه ها بر پایه لیتوگرافی 7 نانومتری را آغاز کند و به احتمال فراوان در این سال شاهد عرضه اولین اسمارت فون ها به بازار خواهیم بود که در داخل آن ها چیپست هایی استفاده میشوند که تراشه آن ها با لیتوگرافی 7 نانومتری ساخته شده است.
TSMC نام پلتفرم ساخت تراشه های خود در این لیتوگرافی را Galaxy Design Platform نهاده است و در همین زمینه آقای Suk Lee سرپرست ارشد بازاریابی زیرساخت های طراحی شرکت TSMC این گونه اظهار نظر کرده اند:
این فناوری که در همکاری با شرکت Synopsys برای ساخت ترانزیستور های FinFET جدید مورد استفاده قرار خواهد کرد گواهینامه ای را ایجاد میکند که استاندارد های خود را تحت پلتفرم Galaxy Design عرضه نموده و از آن میتوان برای تولید اولین تراشه های 7 نانومتری استفاده نمود.
مراحل تولید اولیه تراشه ها تحت لیتوگرافی 7 نانومتری هم اواسط سال آینده میلادی آغاز خواهد شد و اگر همه چیز طبق برنامه پیش رود این مرحله نیز بین 6 تا 12 ماه طول میکشد و نتایج نهایی را در سال 2018 خواهیم دید.
در حال حاضر سامسونگ به صورت رسمی تولید تراشه ها تحت لیتوگرافی 10 نانومتری و به صورت صنعتی آغاز نموده است و به نظر تراشه های Snapdragon 830 اولین چیپست هایی خواهند بود که در تولید انبوه با این فناوری ساخته خواهند شد. اما چندی پیش خبری نیز منتشر شد که نگرانی هایی را از این بابت ایجاد میکند. سامسونگ اعلام نموده است که اگر کوالکام بخواهد تراشه های Snapdragon 830 با فناوری 10 نانومتری این شرکت تولید شوند باید مانند دیگر شرکت های همکار، در صف تولید تراشه قرار بگیرد و این مورد به چالشی بین دو شرکت تبدیل شده است که امکان دارد با توجه به آن کوالکام تغییر رویه داده و با چرخشی 180 درجه ای به جای سامسونگ، سراغ TSMC برود. در این حالت مشخص نیست که آیا لیتوگرافی تراشه های پرچمدار کوالکام تغییر میکند و یا اتفاقات دیگری میافتد.
هر دو فناوری 10 و 7 نانومتری به صورت پایه باید باعث کاهش چشمگیر میزان توان مصرفی تراشه ها گردند و افقی نو را در افزایش کارآیی این چیپست ها به وجود آورند. البته به نظر زمان زیادی را نباید منتظر عرضه چیپست های با این دو لیتوگرافی منتظر بمانیم و اسمارت فون های بهرمند از Snapdragon 830، Helio X30 و چیپست نسل بعدی Exynos سامسونگ طی چند ماه آینده روانه بازار خواهند شد و میتوانیم تأثیر استفاده از این فناوری در ساخت تراشه ها را ببینیم.
منبع: DigiTimes
