خیانت میلیارد دلاری؛ دستگیری مدیران سابق سامسونگ به جرم انتقال فناوری ساخت حافظه ۱۰ نانومتری به چین

جاسوسی صنعتی بار دیگر دنیای تکنولوژی را تکان داد. چندین مدیر ارشد سابق سامسونگ متهم شده‌اند که اسرار تولید تراشه‌های حساس ۱۰ نانومتری را در اختیار شرکت CXMT چین قرار داده‌اند. این فناوری که چند میلیارد دلار صرف توسعه آن شده بود، اکنون به موتور محرک تولیدات حافظه در چین تبدیل شده است.

واحد تحقیقات جرایم فناوری اطلاعات دادستانی ناحیه مرکزی سئول یکی از مدیران فعلی شرکت چینی Changshin Memory Technology (CXMT) را که پیش‌تر از مدیران ارشد سامسونگ بود، به اتهام نقض قانون حفاظت از فناوری‌های صنعتی بازداشت کرد.

اتهامات مدیران سابق سامسونگ

طبق گزارش رسانه کره‌ای The Elec، علاوه بر مدیر ارشد مذکور، چهار نفر دیگر از کارکنان فعلی CXMT که همگی سابقه فعالیت در سامسونگ را داشته‌اند، بازداشت شده‌اند. متهم اصلی این پرونده متهم است که نقشی حیاتی در توسعه فناوری ۱۰ نانومتری DRAM شرکت CXMT ایفا کرده است. فناوری‌ای که کپی‌برداری مستقیم از دستاوردهای مهندسی سامسونگ محسوب می‌شود.

فناوری حافظه ۱۰ نانومتری؛ گنجینه‌ای که به تاراج رفت

فرآیند ساخت تراشه‌های DRAM ۱۰ نانومتری، یکی از رقابتی‌ترین بخش‌ها در صنعت نیمه‌رسانا است. برای درک اهمیت این موضوع باید بدانیم که سامسونگ طی ۵ سال گذشته، بیش از ۱.۶ تریلیون وون (معادل ۱.۰۸ میلیارد دلار) برای توسعه این فناوری هزینه کرده است. در حالی که غول‌هایی مثل SK hynix به تازگی تولید انبوه نسل ششم این تراشه‌ها را آغاز کرده‌اند، چین موفق شده است با استفاده از اطلاعات سرقتی، میان‌بر عجیبی در این صنعت بزند.

دادستانی سئول در بیانیه‌ای تند اعلام کرد:

شرکت CXMT، به عنوان اولین و تنها شرکت نیمه‌رسانای DRAM در چین که دولت محلی این کشور ۲.۶ تریلیون وون در آن سرمایه‌گذاری کرده، در تمامی مراحل توسعه خود به طور متقلبانه از بهترین فناوری‌های داخلی ما استفاده کرده است.

استراتژی چین برای شکار نخبگان

تحقیقات نشان می‌دهد که CXMT از طریق شرکت‌های سوری، اقدام به وسوسه و استخدام کارمندان کلیدی سامسونگ کرده است. یکی از متهمان که در سال ۲۰۱۶ به این شرکت چینی پیوسته بود، حجم عظیمی از اطلاعات دست‌نویس و اسناد فنی فرآیند تولید را به چین منتقل کرده است. بازرسان دریافتند که تنها یک کارمند سابق سامسونگ، اطلاعات مربوط به «صدها مرحله عملیاتی» را لو داده و شخصاً بر درستی اجرای آن‌ها در خط تولید چین نظارت کرده است تا اولین حافظه‌های DRAM تولید انبوه چین در سال ۲۰۲۳ روانه بازار شوند.

در همین رابطه بخوانید:

- پاسخ چین به تحریم‌ها؛ ارتقای مخفیانه دستگاه‌های قدیمی لیتوگرافی شرکت ASML
- چینی‌ها حافظه رم پیشرفته LPDDR5X با سرعت فوق‌العاده 10667 مگاهرتزی ساختند

ضربه سنگین به برتری فناوری کره جنوبی

برآوردها نشان می‌دهد خسارت وارد شده به جایگاه کره جنوبی در سطح جهانی به چندین میلیارد دلار می‌رسد. این اتفاق در حالی رخ می‌دهد که در ابتدای امسال نیز یکی دیگر از مدیران سابق سامسونگ به جرم لو دادن اسرار تراشه‌های ۱۸ نانومتری به همین شرکت چینی، به ۷ سال زندان محکوم شده بود.

در حال حاضر، CXMT بزرگ‌ترین تولیدکننده حافظه در چین است و محصولاتی نظیر DDR5 و HBM3 تولید می‌کند. تا پایان سال ۲۰۲۵، ظرفیت تولید این شرکت به ۲۸۰ هزار ویفر در ماه می‌رسد که معادل ۱۵ درصد از کل تولید DRAM در جهان است؛ سهمی که به گفته کارشناسان، بخش بزرگی از آن مدیون سرقت فناوری از غول‌های کره‌ای است.