بهدلیل کمبود و گرانی رمهای DDR5، تولیدکنندگان مادربرد و حافظه در حال بازگشت به پلتفرمهای DDR4 هستند. با وجود افزایش تقاضا و رشد فروش، محدودیتهایی مانند توقف تولید تراشههای پرسرعت و مشکل تخصیص ویفر همچنان پابرجاست و پیشبینی میشود کمبود DRAM و NAND تا سال ۲۰۲۷ ادامه داشته باشد.
برند G.SKILL در جریان نمایشگاه کامپیوتکس 2026 از کیت حافظه جدید DDR5-9200 رونمایی کرده که ولتاژ کاری آن به 1.1 ولت میرسد. این کیت حافظه شامل دو ماژول 16 گیگابایتی بوده و سرعت بالاتری را در اختیار گیمرها قرار میدهد.
شرکتهای Cooler Master و G.SKILL دست روی مشکلی از حافظههای DDR5 گذاشتهاند که همه میدانستیم ولی کمتر کسی به آن توجه میکرد. این رمها که با نام تجاری MasterDIMM رونمایی شدهاند به خنککننده فعال و فن داخلی مجهز شدهاند تا با دمای کاری 15 درجه پایینتر از مدلهای بدون فن، برای بهترین عملکرد در سیستمهای نسل جدید و سناریوهای سنگین عرضه شوند.
شرکت SK hynix از فناوری جدیدی با نام iHBM رونمایی کرد. این فناوری در واقع نوعی معماری حرارتی جدید است که قصد دارد یکی از مهمترین گلوگاههای نسل جدید شتابدهندههای هوش مصنوعی را برطرف کند. این فناوری با انتقال سیستم خنکسازی به درون ساختار ارتباطی حافظه HBM، تلاش میکند مشکل داغشدن شدید حافظههای پرسرعت AI و افت عملکرد ناشی از Thermal Throttling را در سطح معماری کنترل کند.
بعد از ماهها افزایش قیمت رم و SSD بهدلیل تب هوش مصنوعی، حالا بهنظر میرسد چین قصد دارد دست به یک حرکت مثبت به نفع بازار بزند. گزارشها حاکی از خیز این کشور برای افزایش گسترده تولید تراشههای حافظه است که شاید بالاخره به کاهش قیمت قطعات برای کاربران عادی و گیمرها منجر شود.
تولیدکنندگان حافظه چینی در تلاشند تا بازار از دست رفته مصرفکننده را از رقبای خود بربایند. در همین رابطه، ظاهراً شرکت CXMT چین موفق شده همکاری خود در تولید تراشه حافظه برای رمهای DDR5 را با برند کورسیر آغاز کند.
یک تیم تحقیقاتی در ژاپن موفق شده حافظهای مبتنی بر یک ماده آنتیفرومغناطیس بسازد که تنها در ۴۰ پیکوثانیه سوئیچ میکند. این فناوری با استفاده از مکانیزم Spin-Orbit Torque و بدون نیاز به گرمایش شدید، راه جدیدی برای ساخت حافظههای فوقسریع و کممصرف باز کرده که میتواند آینده پردازش سیستمهای هوش مصنوعی را متحول کند.
حدود ۷۵ سال پیش در چنین هفتهای اولین حق اختراع حافظه رم کامپیوتر ثبت شد. این حافظه رم در آزمایشگاه MIT توسعه یافت. جالب است بدانید که ظرفیت آن حدود 2 کیلوبایت بود. در ادامه جزئیات بیشتری درباره اولین حافظه رم را برای شما میگوییم.
ناتوانی غولهای فناوری در تامین نیاز بازار جهانی حافظه، فرصتی طلایی در اختیار شرکتهای چینی قرار داده است. رمهای چینی نه تنها در حال کاهش فاصله با لبه فناوری هستند، بلکه با تولید انبوه، در حال تسخیر بازارهایی هستند که پیشتر در انحصار برندهای کرهای و آمریکایی بود.
برند چینی POWEV بهتازگی تولید انبوه رمهای DDR5 خود را در انواع UDIMM ،SODIMM و RDIMM با سرعتهای ۴۸۰۰ و ۵۶۰۰ مگاترنسفر بر ثانیه آغاز کرده است. این سومین شرکت چینی است که در میانه بحران جهانی رم وارد این بازار سودآور میشود.
در حالی که ماژولهای DDR5 برای بسیاری از گیمرها دستنیافتنی شده، سه غول بزرگ حافظه یعنی سامسونگ، SK Hynix و مایکرون، نخستین قدمها برای ساخت حافظههای DDR6 را آغاز کردهاند. انتظار میرود این ماژولهای جدید با سرعت پایه ۸۸۰۰ مگاترانسفر بر ثانیه در سالهای ۲۰۲۸ تا ۲۰۲۹ روانه بازار شوند.
موسسه JEDEC بهتازگی مشخصات اولیه استاندارد حافظه LPDDR6 را منتشر کرده است. این نسل جدید که جانشین LPDDR5 محسوب میشود، با معرفی فناوری «پردازش درون حافظه» و افزایش چشمگیر پهنای باند، طراحی شده تا نیازهای پردازشی سنگین سرورها و سیستمهای مبتنی بر هوش مصنوعی را با کمترین میزان مصرف انرژی برطرف کند.







